Показаны особенности конструктивных решений в процессе создания полупроводниковых компонентов и устройств, таких как генераторы, усилители, умножители частоты, измерители мощности, линии передачи и устройства для модуляции электромагнитных волн с использованием р–i–n-структур. Рассмотрены основные направления практического применения аппаратуры и оборудования терагерцевого диапазона.
Показано особливості конструктивних рішень у процесі створення напівпровідникових компонентів і пристроїв, таких як генератори, підсилювачі, помножувачі частоти, вимірювачі потужності, лінії передачі і пристрої для модуляції електромагнітних хвиль з використанням р–i–n-структур. Розглянуто основні напрямки практичного застосування апаратури та обладнання терагерцового діапазону.
The features of design solutions in the process of creating semiconductor components and devices, such as oscillators, amplifiers, frequency multipliers, power meters, transmission lines, and devices for modulating electromagnetic waves using p–i–n-structures, are shown. The main directions of the practical application of apparatus and equipment of the terahertz range are considered.