Исследованы энтальпии смешения расплавов системы Ga—Si—Ni вдоль сечения xGa / xSi = 0,6/0,4, а также установлено значение первой парциальной энтальпии смешения кремния для сечения xGa / xMn = 0,4/0,6 расплавов системы Ga—Si—Mn. Сопоставлены экспериментальные и рассчитанные с помощью метода Бонье—Кабо термохимические свойства. Показано, что рассчитанные и экспериментальные данные согласуются между собой.
Досліджено ентальпії змішування розплавів системи Ga—Si—Ni уздовж перерізу xGa / xSi = 0,6 / 0,4, а також встановлено значення першої парціальної ентальпії змішування кремнію для перерізу xGa / xMn = 0,4 / 0,6 розплавів системи Ga—Si—Mn. Зіставлено експериментальні та розраховані за допомогою методу Бонье-—Кабо термохімічні властивості. Показано, що розраховані та експериментальні дані узгоджуються між собою.
Investigated the enthalpy of mixing melts Ga—Si—Ni-section along xGa / xSi = 0,6 / 0,4, and is set to the enthalpy of mixing of the first partial cross section silica xGa / xMn = = 0,4 / 0,6 melts Ga—Mn—Si. Compared eksperementalnye and computed using the method of Bonnier — Cabo thermochemical properties. It is shown that the calculated and experimental data are consistent with each other.