Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Буджак, Я.С. |
|
dc.contributor.author |
Новосядлый, С.П. |
|
dc.date.accessioned |
2018-07-15T11:48:25Z |
|
dc.date.available |
2018-07-15T11:48:25Z |
|
dc.date.issued |
1998 |
|
dc.identifier.citation |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787 |
|
dc.description.abstract |
Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Депонированные рукописи |
uk_UA |
dc.title |
Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті