Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала

dc.contributor.author	Буджак, Я.С.
dc.contributor.author	Новосядлый, С.П.
dc.date.accessioned	2018-07-15T11:48:25Z
dc.date.available	2018-07-15T11:48:25Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала / Я.С. Буджак, С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 62. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140787
dc.description.abstract	Разработана технология формирования тонкопленочных конденсаторов на основе базовых слоев β-тантала ионным распылением танталовой мишени при одновременном легировании элементами Iб, IIб, III, IV, Vа, VIа, VIIа, VIIIа Периодической системы. Такие тонкопленочные элементы конденсаторов могут быть использованы при формировании структур активных RC-фильтров и динамических оперативных запоминающих устройств произвольной выборки.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Депонированные рукописи	uk_UA
dc.title	Формирование тонкопленочного диэлектрика на основе β-тантала	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA