Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС

dc.contributor.author	Новосядлый, С.П.
dc.date.accessioned	2018-07-15T08:18:03Z
dc.date.available	2018-07-15T08:18:03Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 2. — С. 39. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140766
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Депонированные рукописи	uk_UA
dc.title	Геттерирование примесей и дефектов в системной технологии микроэлектроники БИС	uk_UA
dc.title.alternative	Геттерування домiшкiв та дефектiв у системнiй технологiї мiкроелектронiки ВIС	uk_UA
dc.title.alternative	Impurities and defects gettering in system technology of LSIC microelectronics	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA