Миграция двухатомных комплексов в структуре графена

Abstract

Рассматривается кинетика перемещений двухатомных образований в двумерной гексагональной структуре — однослойном графене. Используется схема с Hollow-позиционированием составляющих пары в условиях её неразрывности. Выбор варианта позиционирования связан с распространёнными представлениями об особенностях осаждения примесей на графене и предопределяет некоторое упрощение анализа и характера результатов.

Розглядається кінетика переміщень двоатомних утворень у двовимірній гексагональній структурі — одношаровому графені. Використовується схема з порожнистим Hollow-позиціонуванням складових пари в умовах її нерозривности. Вибір варіанту позиціонування пов’язаний з поширеними уявленнями про особливості осадження домішок на графені і зумовлює деяке спрощення аналізу і характеру результатів.

The kinetics of diatomic-formations’ movements in two-dimensional hexagonal structure, which is a single-layer graphene, is considered. The pattern of Hollow-positioning of the pair components under the continuity conditions is used. The choice of positioning type is conditioned by widespread conceptions of features of impurity sedimentation on the graphene and predetermines some simplification of the analysis and nature of results.