Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за темою "Новые компоненты для электронной аппаратуры"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за темою "Новые компоненты для электронной аппаратуры"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications 
    Druzhinin, A.O.; Khoverko, Yu.M.; Ostrovskii, I.P.; Liakh-Kaguy, N.S.; Pasynkova, O.A. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2019)
    The authors investigate deformation-induced changes in the electrophysical parameters of the indium antimonide microcrystals at cryogenic temperatures in strong magnetic fields up to 10 T.
  • Electrical connectors for surface solderless mounting 
    Yefimenko, A.A. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    The article describes the features of development, possibilities of manufacture and application of electrical connectors for surface mounting with flexible printed cables and elastomer liners. With regard to characteristics, ...
  • Ohmic contacts to InN-based materials 
    Sai, P.O. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
    The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact ...
  • Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction 
    Druzhinin, A.A.; Khoverko, Yu.М.; Kutrakov, A.P.; Liakh-Kaguy, N.S.; Yatsukhnenko, S.Yu. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction has been developed based on the studies of electrical conductivity and magnetoresistance of silicon and germanium ...
  • Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона 
    Алтухов, А.А.; Митягин, А.Ю.; Клочкова, А.М.; Орлова, Г.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Показана возможность создания матричных фотоприемных устройств на алмазе. На примере линейчатых фотоприемных устройств разработаны принципы и технология построения.
  • Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах 
    Болтовец, Н.С.; Иванов, В.Н.; Ковтонюк, В.М.; Раевская, Н.С.; Беляев, А.Е.; Бобыль, А.В.; Конакова, Р.В.; Кудрик, Я.Я.; Миленин, В.В.; Новицкий, С.В.; Шеремет В.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.
  • Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe 
    Цибрий, З.Ф.; Андреева, Е.В.; Апатская, М.В.; Бунчук, С.Г.; Вуйчик, Н.В.; Голенков, А.Г.; Дмитрук, Н.В.; Забудский, В.В.; Лысюк, И.А.; Свеженцова, Е.В.; Смолий, М.И.; Сизов, Ф.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Разработана топология и технологические режимы изготовления дискретных фотодиодов (диаметр 0,5 1,5 мм) средневолнового инфракрасного диапазона спектра на базе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур (КРТ). Исследованы ...
  • Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем 
    Семёнов, А.А.; Усанов, Д.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Показана возможность создания миниатюрного пассивного индуктивного элемента, перестраиваемого под воздействием электрического поля. Даны рекомендации по практическому применению индуктивных элементов предлагаемой конструкции.
  • Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃> 
    Ковалюк, З.Д.; Коноплянко, Д.Ю.; Нетяга, В.В.; Бахтинов, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Получено новое соединение GaSe<KNO₃>, обладающее свойством накапливания электрического заряда. На его основе созданы конденсаторы, работающие в частотном диапазоне 100-1000 Гц.
  • Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью 
    Сорокин, В.М.; Зелинский, Р.Я.; Рыбалочка, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Рассмотрены вопросы, связанные с разработкой и исследованием нового класса отражательных дисплеев, работающих на электрооптических эффектах бистабильности в холестерических жидких кристаллах.
  • Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств 
    Горох, Г.Г.; Обухов, И.А.; Лозовенко, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Теоретически обоснована возможность создания перспективных термоэлектрических преобразователей на основе квантовых проводов. Разработаны и апробированы технологические методы изготовления массивов InSb-нанопроводов, имеющих ...
  • Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев 
    Дружинин, А.А.; Голота, В.И.; Когут, И.Т.; Ховерко, Ю.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Проведен обзор существующих и перспективных типов плоских дисплеев. Предложены матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев, разработана последовательность базовых операций их изготовления.
  • Моделирование электротоковых микрореле 
    Мухуров, Н.И.; Ефремов, Г.И.; Жвавый, С.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    По результатам моделирования предложена конструкция электротокового микрореле. Оценены характеристики микрореле при различных направлениях протекания электрического тока через меандровую систему планарной конструкции.
  • Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века 
    Сорокин, В.М.; Коломзаров, Ю.В.; Маслак-Гудима, Н.П.; Миняйло, М.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Успехи в развитии современных OLED-и PLED-устройств в ближайшие 5-10 лет приведут к созданию приборов с энергетической эффективностью более 100 лм/Вт и сроком службы до 100 000 часов.
  • Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀ 
    Дудяк, А.В.; Заслонкин, А.В.; Ковалюк, З.Д.; Минтянский, И.В.; Савицкий, П.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Исследованы эксплуатационные характеристики электрохимической системы Li/Cu₄Bi₅S₁₀, определен механизм токообразования. Измерены импедансные спектры гальванической пары при различной глубине разрядки. Предложена модель ...
  • Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнето­электрических и алмазных пленок 
    Афанасьев, М.С.; Митягин, А.Ю.; Чучева, Г.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Рассмотрен принцип создания широкополосной миниатюрной линии задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок. Разработана технология получения пленок на кремниевых подложках.
  • Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов 
    Шевчик-Шекера, А.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Показано, что при расчете предельных параметров NEP приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов, ограниченных флуктуациями потоков фонового излучения, необходимо учитывать фактор группировки фотонов при их излучении нагретыми ...
  • Термоэлектрические микрогенераторы. Современное состояние и перспективы использования 
    Струтинская, Л.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Анализируется состояние и перспективы термоэлектрических микрогенераторов, в том числе и на органическом топливе, Определены пути повышения эффективности микрогенераторов и области их практического применения.
  • Термоэлектрические преобразователи электрических и оптических сигналов — новый класс термоэлектрических устройств 
    Шер, Э.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Новый класс устройств для преобразования сигналов основан на применении термоэлектрического управления параметрами элементов с фазовыми переходами в узкой температурной области.
  • Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃> 
    Нетяга, В.В.; Водопьянов, В.Н.; Иванов, В.И.; Ткачук, И.Г.; Ковалюк З.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    На основе слоистого полупроводника n-InSe и сегнетоэлектрической соли RbNO₃ синтезирован новый нанокомпозит n-InSe<RbNO₃>. Полученное соединение отличается высоким коэффициентом перекрытия по емкости при освещении и обладает ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис