Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала 
    Панфилов, Ю.В.; Самойлович, М.И.; Булыгина, Е.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Рассмотрено влияние методов термического испарения, ионно-плазменного магнетронного распыления и осаждения тонких пленок из ионного пучка на характеристики поверхности фотонных кристаллов.
  • Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с 3D-структурой, образованной магнитными наночастицами 
    Ринкевич, А.Б.; Устинов, В.В.; Самойлович, М.И.; Белянин, А.Ф.; Клещева, С.М.; Кузнецов, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Изучено влияние электромагнитных волн на нанокомпозиты из опаловых матриц, содержащих наночастицы Ni-Zn- и Mn-Zn-ферритов. Измерения выполнены в интервале частот 26—38 ГГц в магнитных полях напряженностью до 30 кЭ.
  • Нанокомпозиты на основе опаловых матриц с кристаллическими ферротороидальными мультиферроиками 
    Самойлович, М.И.; Ринкевич, А.Б.; Бовтун, В.; Белянин, А.Ф.; Нужный, Д.; Кемпа, М.; Цветков, М.Ю.; Клещева, С.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучены оптические, магнитные и диэлектрические свойства, состав и строение образцов нанокомпозитов на основе решетчаты х упаковок наносфер SiO₂ (опаловых матриц), содержащих в межсферических нанополостях кластеры ...
  • Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации ...
  • Нанометровые электронные приборы. Перспективные версии 
    Дроздов, В.А.; Дроздов, М.А.; Ковальчук, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрены основные подходы и закономерности формирования и управления системой нанометровых атомарных кластеров как основной составляющей наноприборов. Предложена модель нанометрового электронного прибора (ЭП) на кластерной ...
  • Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности 
    Коваленко, К.Л.; Шаран, Н.Н.; Севастьянов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Получена наноструктурированная композитная пленка для применения в качестве чувствительного элемента интегральных сенсоров влажности с повышенной чувствительностью и улучшенными эксплуатационными характеристиками.
  • Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам 
    Кудрик Я.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Исследована связь между антидиффузионными свойствами пленок на основе TiB₂ и их нанокристаллической структурой, определены оптимальные размеры нанокристаллитов и условия образования нанокристаллической пленки. Применение ...
  • Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики 
    Белянин, А.Ф.; Кривченко, В.А.; Лопаев, Д.В.; Павлушкин, Л.В.; Пащенко, П.В.; Пирогов, В.Г.; Поляков, С.Н.; Суетин, Н.В.; Сушенцов, Н.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Пленки ZnO получены методом магнетронного ВЧ-распыления. Применялось дополнительное магнитное поле, создаваемое магнитной системой, помещенной за подложкодержателем.
  • Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке 
    Белоусов, И.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
    Рассмотрена кристаллизация силицидной фазы кобальта на поверхности монокристаллического кремния и возможность создания самоформирующихся субмикронных и наноразмерных элементов кремниевых интегральных схем.
  • На технологическом направлении. К 55-летию ОАО "Авангард" (г. С.-Петербург) 
    Шубарев, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Показаны этапы становления и развития ОАО "Авангард" (г. С.-Петербург), созданного в 1948 г. (НИТИ-18) с целью формирования центра прогрессивных технологических процессов и технологического оснащения серийного производства ...
  • НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху 
    Ваків, М.М.; Сиворотка, І.М.; Булат, А.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2017)
    Статтю присвячено Науково-виробничому підприємству «Електрон-Карат» — від моменту створення до сьогоднішніх днів. Описано визначні етапи його розвитку та науково-технічні результати, досягнуті колективом протягом 45-річної ...
  • Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора 
    Шварц, Ю.М.; Яганов, П.А.; Дзюба, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
    Впервые предложен нейросетевой алгоритм обработки экспериментальных данных, что позволило повысить точность аппроксимации до 1,5 мК в диапазоне температур 4,2—357 К.
  • Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе 
    Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
  • Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры 
    Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Гиясова, Ф.А.; Саидова, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
    Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для ...
  • Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений 
    Гаркавенко, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001)
    Прямозонные полупроводниковые соединения могут быть пролегированы позитронно-активной примесью с высокой степенью концентрации. Позитрон в кристалле полупроводника рассматривается как легчайшая дырка с эффективной массой, ...
  • Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур 
    Белянин, А.Ф.; Борисов, В.В.; Тимофеев, М.А.; Ламский, А.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Рассмотрены условия формирования и строение пленок алмазоподобных материалов, используемых при изготовлении слоистых ненакаливаемых катодов устройств эмиссионной электроники. Изучены строение и автоэмиссионные свойства ...
  • Непаяные контактные соединения в электронных печатных узлах 
    Ефименко, А.А.; Собченко, Д.Л. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Рассмотрены варианты конструкторской реализации контактных электрических соединений выводов электронных компонентов в электронных печатных узлах без использования процесса пайки.
  • Непереборный метод определения полярности выходов при минимизации многовыходных автоматов 
    Лузин, С.Ю.; Полубасов, О.Б. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Предложен метод оценки и выбора одного из вариантов полярности выходов, обеспечивающего минимум суммарного числа термов при минимизации системы булевых функций.
  • Непрерывная и импульсная синхронизация работы генераторов Чуа 
    Элияшив, О.М.; Галюк, С.Д.; Политанский, Л.Ф.; Кушнир, Н.Я.; Танасюк, В.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Экспериментально исследованы процессы непрерывной и импульсной синхронизации двух генераторов Чуа. Предложенные методы синхронизации хаотических генераторов перспективны для применения в средствах связи при построении ...
  • Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе 
    Джафарова, Э.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
    Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис