The recombination parameters of the point defects dynamics (recombination barrier, recombination time, recombination factor) at high and low temperatures are discussed proceeding from the heterogeneous mechanism of grown-in microdefects formation and transformation. The cooling-induced decomposition of the oversaturated solid solution of point defects in silicon follows two mechanisms: vacancy-type and interstitial-type ones. Therefore, vacancies and intrinsic silicon interstitials find drains in the form of background impurity atoms like oxygen and carbon. The formation of intrinsic point defect-impurity pairs is the dominant process at temperatures near the silicon melting point.
Рассмотрены рекомбинационные параметры модели динамики точечных дефектов (рекомбинационный барьер, рекомбинационное время, рекомбинационный фактор) для высоких и низких температур, исходя из гетерогенного механизма образования и трансформации ростовых микродефектов. Вызванный охлаждением распад пересыщенного твердого раствора точечных дефектов в кремнии протекает по двум механизмам: вакансионному и межузельному. Поэтому вакансии и собственные межузельные атомы кремния находят стоки в виде атомов фоновых примесей, таких как кислород и углерод. Образование пар "собственный точечный дефект - примесь" является доминирующим процессом при температурах, близких к точке плавления кремния.
Розглянуто рекомбiнацiйнi параметри моделi динамiки точкових дефектiв (рекомбiнацiйний бар'єр, рекомбiнацiйний час, рекомбiнацiйний фактор) для високих та низьких температур, виходячи з гетерогенного механiзму утворення i трансформацiї ростових мiкродефектiв. 3а рахунок охолодження розпад пересиченого твердого розчину точкових дефектiв у кремнiї вiдбувається за двома маханiзмами: вакансiйним та мiжвузловинним. Тому вакансiї i власнi мiжвузловиннi атоми кремнiю знаходять стоки у виглядi атомiв фонових домiшок, таких як кисень та вуглець. Утворення пар "власний точковий дефект - домiшка" є домiнуючим процесом при температурах, близьких до точки плавлення кремнiю.
