Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2004, том 11
→
Functional Materials, 2004, № 4
→
Переглянути статтю

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals

Ermakov, A.P. ; Darinsky, B.M. ; Drozhzhin, A.I.

Інші назви: Електропластичний ефект у початково бездислокаційних ниткоподібних кристалах кремнію, пов’язаний з генерацією дислокацій

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139568

Посилання: Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals / A.P. Ermakov, B.M. Darinsky, A.I. Drozhzhin // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 4. — С. 746-750. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Дата: 2004

Завантажень: 260

Electroplastic effect associated with the dislocation generation in the initially dislocation-free silicon filamentary crystals

Анотація:

Experiments on local high-intensity electric current pulse action on mechanical properties of a Si filamentary crystal made it possible to reveal a novel type of electroplastic effect associated with the generation of dislocations.

Эксперименты по локальному высокоинтенсивному воздействию импульсом электрического тока на механические свойства нитевидных кристаллов Si позволили обнаружить новую разновидность электропластического эффекта, связанного с зарождением дислокаций.

Експерименти з локального високоінтєнсивного впливу імпульсом електричного струму на механічні властивості ниткоподібного кристалу кремнію дозволили виявити новий різновид електропластичного ефекту, пов’язаного з зародженням дислокацій.

Показати повний запис статті