Исследованы электрофизические свойства сверхтвердого электропроводящего поликристаллического материала на основе алмаза и п-слойных графенов, полученного в условиях высоких давлений и температур. Установлено, что с увеличением содержания графена в алмазном поликристаллическом компакте резко (почти в 4 раза) снижается удельное электросопротивление. При этом твердость электропроводящих образцов поликристаллического сверхтвердого материала на основе алмаза и п-слойных графенов незначительно уступает твердости алмазного композиционного термостойкого материала.
Досліджено електрофізичні властивості надтвердого електропровідного полікристалічного матеріалу на основі алмазу і п-шарових графенів, отриманого в умовах високого тиску і високої температури. Встановлено, що зі збільшенням вмісту графена в алмазному полікристалічному компакті різко (майже в 4 рази) знижується питомий електроопір. При цьому твердість електропровідних зразків полікристалічного надтвердого матеріалу на основі алмазу і п-шарових графені незначно поступається твердості алмазного композиційного термостійкого матеріалу.
We have studied the electrical properties of the conductive superhard polycrystalline material based on diamond and multilayer graphene, obtained at high pressures and temperatures. The increase of graphene in a polycrystalline diamond compact leads to a sharp (almost 4-fold) reduction in resistance. Thus hardness of samples of conductive superhard polycrystalline diamond material on the basis of the multilayer graphene is slightly less than the hardness of the diamond composite heat-resistant material.