Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников. II. О возможности изучения анизотропии Hc₁

Abstract

Развиты представления о возможности изучения анизотропии нижних критических полей ВТСП на текстурированных образцах путем проведения измерений Hc₁ при нескольких значениях угла поворота исследуемого образца относительно оси, перпендикулярной направлению внешнего магнитного поля H.

Розвинуто уявлення про можливості вивчання анізотропії нижніх критичних полів ВТНП на текстурованих зразках шляхом проведення вимірів Hc₁ при декількох значеннях кута повороту зразка, що досліджується, навколо вісі, перпендикулярної до напряму зовнішнього магнітного поля Н.

Concepts of the possibility of studying the anisotropy of lower critical fields of HTSC are developed. The possibility may be realized by measuring Hc₁ at some angles of rotation of the sample under investigation about the axis normal to external magnetic field H.