Наведено комп’ютерну модель інфільтрації пористих зразків при спіканні. Модель
базується на рівнянні Річардса та формулах ван Генучтена для опису властивостей
інфільтрату. Для просторово-часової дискретизації рівняння Річардса використано метод
скінченних елементів та різницеву цілком неявну схему в часі. Виконано моделювання
інфільтрації рідким кремнієм пористих SiC-зразків при їх спіканні.
Приведена компьютерная модель инфильтрации пористых образцов при спекании.
Модель основана на уравнении Ричардса и формулах ван Генучтена для описания свойств
инфильтрата. Для пространственно-временной дискретизации уравнения Ричардса
использован метод конечных элементов и разностная полностью неявная схема по времени.
Выполнено моделирование инфильтрации жидким кремнием пористых SiC-образцов при их
спекании.
The computer model of infiltration of the porous specimen during sintering is presented.
Model is based on Richards equation and retention model in formulas of van Genuchten. For
spatio-temporal discretisation of Richards equation the finite elements method and full implicit
finite-difference time-scheme are used. The simulation of infiltration of melt silicon in porous SiCspecimen is realized.