Ceramic varistors based on zinc oxide have excellent properties as protection devices used in power industry. However, their breakdown voltage, dependent on number of grain boundaries, is too high for use in electronic applications. In this work, performance of micro-devices having varistor-type current-voltage characteristics with low breakdown voltage is reported. The thermally stimulated depolarisation current (TSDC) technique was used to study the dielectric relaxation of the Zn-Bi-0 thin-film arresters. The surface varistor layers were prepared by r.f. magnetron sputtering on nickel support. The TSDC measuring system and cryostat apparatus used in experiment have been described.
Керамические варисторы на основе оксида цинка обладают отличными свойствами как устройства защиты в энергетической промышленности. Однако их напряжения пробоя, зависящие от количества межзеренных границ, слишком высоки для использования в электронике. В настоящей работе описаны рабочие характеристики миниатюрных устройств, имеющих вольтамперные характеристики типа варисторных и низкие напряжения пробоя. Для исследования диэлектрической релаксации тонкопленочных Zn-Bi-0 разрядников применен метод тока термостимулированной деполяризации (ТТСД). Поверхностные слои варисторов получены методом высокочастотного магнетронного напыления на никелевой подложке. Описаны система для измерения ТТСД и криостат, использованные в работе.
Керамічні варистори на основі оксиду цинку мають відмінні властивості як пристрої захисту в енергетичній промисловості. Проте їх напруги пробою, які залежать від кількості міжзеренних границь, є надто високими для застосування в електроніці. В роботі описано робочі характеристики мініатюрних пристроїв, які мають вольтам-перні характеристики типу варисторних та низькі напруги пробою. Для дослідження діелектричної релаксації тонкоплівкових Zn-Bi-0 розрядників застосовано метод струму термостимульованої деполяризації (СТСД). Поверхневі шари варисторів одержані методом високочастотного магнетронного напилення на нікелевій підкладці. Описано систему для вимірювання ТТСД та кріостат, які використані в роботі.
