Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Optimization of thermal conditions in growing of GSO:Ce crystals by Czochralski technique

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Krivoshein, V.I.
dc.contributor.author Martynov, V.P.
dc.contributor.author Nagornaya, L.L.
dc.contributor.author Ryzhikov, V.D.
dc.contributor.author Bondar`, V.G.
dc.date.accessioned 2018-06-14T08:53:51Z
dc.date.available 2018-06-14T08:53:51Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation Optimization of thermal conditions in growing of GSO:Ce crystals by Czochralski technique / V.G. Bondar`, V.I. V.P. Krivoshein, V.D. Ryzhikov, V.G. Bondar`, // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 196-200. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134793
dc.description.abstract Crystallization conditions of gadolinium silicate Gd₂SiO₅:Ce have been studied depending on the crystallographic direction of the crystal growing in various thermal conditions. For the developed crystallization assembly, it is just the crucible position relative to the inductor upper turn has been shown to be the optimum one. Determined have been the growing parameters and regimes providing the obtained of high spectrometric quality of up to 50 mm in diameter and up to 150 mm length. The  40x40 mm² scintillators prepared from those crystals show the energy resolution 10.4 % under y irradiation with ¹³⁷Cs (662 keV). uk_UA
dc.description.abstract Исследованы условия кристаллизации силиката гадолиния Gd₂SiO₅:Ce в зависимости от кристаллографического направления их выращивания в различных тепловых условиях. Показано, что для разработанного кристаллизационного узла оптимальным является расположение тигля относительно индуктора на 5-7 мм выше верхнего витка индуктора. Определены параметры и режимы роста, позволяющие получать кристаллы диаметром до 50 мм и длинной до 150 мм высокого спектрометрического качества. Сцинтилляторы  40x40 mm² , изготовленные из этих кристаллов, показали энергетическое разрешение 10,4 % при облучении y-излучением ¹³⁷Cs энергией 662 кэВ. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Institute of Scintillations Materials, STC "institute for Single Crystals" National Academy of Sciences of Ukraine, 60 Lenin Ave., 61001, Kharkiv Ukraine uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Optimization of thermal conditions in growing of GSO:Ce crystals by Czochralski technique uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис