Structure and fluorescence of ZnWO₄ films prepared by ion beam sputtering

Abstract

ZnWO₄ films were deposited on glass and KCI substrates using ion beam sputtering of ZnWO₄ target. After annealing in O₂ flow at 773 K during 7 hours, films gain the crystalline structure and luminescent properties which are inherent for ZnWO₄ compound.

Плівки ZnWO₄ напилено на скляні підкладки та підкладки КСІ шляхом іонного розпилювання мішені з ZnWO₄. Після відпалу у потоці O₂ при 773 К на протязі 7 годин плівки набули кристалічної структури та сцинтиляційних властивостей, що характерні для ZnWO₄.

Пленки ZnWO₄ напылены на стеклянные подложки и подложки KCI путем ионного распыления мишени из ZnWO₄. После отжига в потоке O₂ при 773 К в течение 7 часов пленки приобрели кристаллическую структуру и люминесцентные свойства, характерные для ZnWO₄.