Виготовлення, електричні та оптичні властивості твердих розчинів Cu1-xZnxInSe2 (x = 0,05 – 0,2)

Abstract

Твердi розчини системи CuInSe2–ZnIn2Se4 належать до напiвпровiдникiв n-типу провiдностi. Дослiджено їх температурнi залежностi електропровiдностi та край оптичного поглинання. Визначено ширину забороненої зони твердого розчину системи CuInSe2–ZnIn2Se4 залежно вiд складу. Також встановлено концентрацiйну залежнiсть коефiцiєнта термо-ерс, концентрацiї електронiв i холлiвську рухливiсть носiїв заряду.

Твердые растворы системы CuInSe2–ZnIn2Se4 принадлежат к полупроводникам n-типа проводимости. Исследованы их температурные зависимости электропроводимости и край оптического поглощения. Определена ширина запрещенной зоны твердого раствора системы CuInSe2–ZnIn2Se4 в зависимости от состава. Также установлена концентрационная зависимость коэффициента термо-эдс, концентрации электронов и их холловская подвижность.

The temperature dependences of electroconductivity and the optical absorption edge in solid solutions of the system CuInSe2– ZnIn2Se4 belonging to semiconductors with n-conductivity have been studied. The content dependence of the energy gap width in the solutions concerned has been found. The concentration dependences of the electromotive force coefficient, electron concentration, and Hall mobility of charge carriers have been determined.