Исследованы особенности электронных свойств и механизмов кристаллизации аморфных пленок иттербия, полученных низкотемпературной конденсацией в среде газообразного гелия (при парциальном давлении 2,3∙10⁻³-7 Па). Изучены изменения электропроводности, магнитосопротивления и эффекта Холла, происходящие при отжиге пленок. Соответствующие изменения плотности и подвижности носителей заряда вычислены в рамках двухзонной модели. Предложена модель преобразования структуры низкотемпературных конденсатов газонасыщенного иттербия в процессе отжига.
The features of the electronic properties and mechanisms of crystallization of amorphous ytterbium films obtained by low-temperature condensation in a medium of gaseous helium (at a partial pressure of 2,3∙10⁻³-7 Pa) are investigated. The changes of the conductivity, magnetoresistance, and Hall effect upon annealing of the films are investigated. The corresponding changes in the density and mobility of charge carriers are calculated in a two-band model. A model of the structural transformation of low-temperature condensates of gas-saturated ytterbium in the annealing process is proposed.