Исследовано электрическое сопротивление монокристалла HoBa₂Cu₃O₇₋δ (Тс = 62–66 К) в интервале температур Тс–300 К в плоскости слоев при условиях, когда измерительный ток течет параллельно двойникам
или под углом 45° к ним в процессе обратимого изменения гидростатического давления. Проведен анализ
изменений Тс, параметров уравнения Блоха–Грюнайзена и параметров флуктуационной проводимости в модели Асламазова–Ларкина. Приложение давления способствует появлению второй фазы с более низкой Тс,
которая более ясно проявляется в случае измерительного тока, пересекающего плоскости двойникования. В
этом случае поперечная длина когерентности и интервал существования флуктуационной проводимости оказываются меньшими, чем для первой конфигурации. Релаксация параметров, характеризующих рассеяние
носителей заряда на фононах и дефектах, связана с перераспределением кислорода между двумя фазами.
Досліджено електричний опір монокристалу HoBa₂Cu₃O₇₋δ (Тс = 62–66 К) в інтервалі температур
Тс–300 К у площині шарів за умов, коли вимірювальний струм тече паралельно двійникам чи під кутом 45° до них у процесі оборотного змінення гідростатичного тиску. Проведено аналіз змінення Тс,
параметрів рівняння Блоха–Грюнайзена та параметрів флуктуаційної провідності в моделі Асламазова–Ларкіна. Прикладення тиску сприяє появі другої фази з більш низькою Тс, котра більш ясно
проявляється у випадку вимірювального струму, що перетинає площини двійникування. У цьому випадку поперечна довжина когерентності та інтервал існування флуктуаційної провідності виявляються
меншими, ніж для першої конфігурації. Релаксація параметрів, що характеризують розсіювання носіїв
заряду на фононах та дефектах, пов’язана з перерозподілом кисню між двома фазами.
The in-plane electrical resistivity of single-crystal HoBa₂Cu₃O₇₋δ ( Tc = 62–66 K) is studied at temperatures Tc–300 K under conditions such that the measurement current flows parallel to twins or at an angle of 45° to them during reversible changes in hydrostatic pressure. The variations in Tc, in the parameters of the Bloch-Grueneisen equations, and in the parameters of the Aslamasov-Larkin model for fluctuation conductivity are analyzed. Application of a pressure facilitates the formation of a second phase with lower Tc that shows up more clearly when the measurement current flows across the twinning plane. In this case, the transverse coherence length and the interval within which the fluctuation conductivity exists are smaller than in the first configuration. The relaxation of the parameters characterizing the scatting of charge carriers on phonons and defects is related to the redistribution of oxygen between the two phases.
