Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП

Abstract

Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления rc(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T* (T*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T ≤ Tc₀ , где Tc₀ - температура двумерного сверхпроводящего перехода в теории среднего поля, появление в медь-кислородной плоскости областей с сильными сверхпроводящими флуктуациями приводит к существенной температурной зависимости вероятности туннелирования заряда tc(T) вдоль оси ĉ в нормальном состоянии.

The hypothesis that the semiconducting trend of the resistivity ρc(T) in quasi-two-dimensional high-Tc superconductors is of a fluctuational nature, due to charge ordering and a superconducting transition, is discussed. At temperatures T>T* (T* is the charge ordering temperature) these are fluctuations that prevent charge ordering. For T ≤ Tc₀, where Tc₀ is the temperature of the two-dimensional superconducting transition in mean-field theory, regions with strong superconducting fluctuations arise in the copper–oxygen plane, leading to a substantial temperature dependence of the probability tc(T) for the tunneling of charge along the ĉ axis in the normal state.