Исследованы продольное ρхх(Т) и поперечное ρхy(Т) удельное сопротивление, а также эффект Холла в пленках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y с х ≈ 0,1. Несмотря на низкое значение Тс ≈ 78 К, зависимость ρхх(Т) в широком интервале температур линейная. В то же время ρхy(Т) имеет выраженный полупроводниковый характер. Измеренное значение коэффициента Холла RH ≈1,3, что в ≈3 раза меньше, чем в пленке YBa₂Cu₃O₇₋у с аналогичной Тс. Константа взаимодействия λ ≈ 1,26, наоборот, в ≈ 3,5 раза больше. Показано, что эти и другие обнаруженные особенности можно объяснить эффектами локализации носителей заряда в системах Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y.
Досліджено поздовжний ρхх(Т) та поперечний ρхy(Т) опiр, а також ефект Холу в плівках Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y із с х ≈ 0,1. Незважаючи на низьке значення Тс ≈ 78 К, залежність ρхх(Т) у широкому інтервалі температур є лінійною. У той же час ρхy(Т) має виражений напівпровідниковий характер. Виміряне значення коефіцієнта Хола RH ≈ 1,3, що в ≈3 рази менше, ніж у плівці YBa2Cu₃O7–y із аналогічною Тс. Константа взаємодії λ ≈ 1,26 навпаки, в ≈ 3,5 рази більше. Показано, що ці й інші виявлені особливості можна пояснити ефектами локалізації носіїв заряду в системах Y₁₋xPrxBa₂Cu3O₇₋y.
Longitudinal ρхх(Т) and transverse ρхy(Т) resistivities as well as Hall effect were studied for Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y films with с х ≈ 0,1. Despite a low Тс value (≈78 K) the ρхх(Т) dependence is linear in a wide temperature interval. At the same time ρхy(Т) is found to demonstrate a pronounced semiconducting behavior in the same temperature interval. The measured value of the Hall coefficient RH ≈ 1,3 is about 3 times less than in the YBa₂Cu₃O₇₋у film with the same Тс. In contrast, the coupling constant λ ≈ 1,26 is about 3.5 times larger. It is shown that most of the peculiarities observed can be explained in terms of charge carriers localization in Y₁₋xPrxBa₂Cu₃O₇₋y systems.
