Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за автором "Ткачук, А.І."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за автором "Ткачук, А.І."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина I) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки ...
  • InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Матіюк, І.М.; Ткачук, А.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2016)
    Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її ...
  • Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...
  • Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис