Розглянуто сучасний стан розробок InSb фотодіодів методом іонної імплантації. Проаналізовано особливості формування розупорядкованого шару у залежності від маси іона, його енергії та дози опромінення. Зроблено висновки щодо ефективності стаціонарного та імпульсного фотонного відпалів радіаційних дефектів. Наведено результати досліджень впливу відпалу на трансформацію електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик вихідного InSb приладної якості. Запропоновано модель конверсії типу провідності, зумовленої термічним відпалом n-InSb. Проаналізовано механізми транспорту носіїв заряду в InSb фотодіодах, виготовлених методом іонної імплантації, та зроблено висновки щодо природи надлишкових
струмів.
The current state of development of InSb photodiodes prepared using ion implantation method has been considered. Specific features of formation of disordered layer depending on the mass of ions, their energy and dose radiation have been analyzed. The conclusions on the effectiveness of stationary and pulsed photon annealings of radiation damages have been made. The results of studying the annealing on transformation of electrical and photoelectric properties and characteristics of the initial InSb have been presented. A model of the conductivity type conversion caused by thermal annealing of n-InSb has been proposed. The carrier transport mechanisms in InSb photodiodes produced using ion implantation have been analyzed, and conclusions on the nature of excessive currents has been made.
