Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Репозиторій DSpace/Manakin

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Шутов, С.В.
Інші назви: Вплив ізовалентного легірування вісмутом на властивості епітаксіального арсениду галія
Materials for electronical components The impact of isovalent vismuth doping on properties of epitaxial gallium arsenide.
Тема: Материалы для электронных компонентов
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122743
Посилання: Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
Дата: 1999
Переглядів: 711
Завантажень: 480
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Анотація:

 
Показана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.
 
The application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.
 

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 15-Shutov.pdf
Розмір: 118.3Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис