Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999
→
Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 5-6
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Добровольский, Ю.Г.
Інші назви:
Використання ефекту Кірліан для контроля якості напівпровідникових пластин
The use of Kirlian effect for control of semiconductor wafer
УДК:
Качество и надежность аппаратуры
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122734
Посилання:
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин / Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 22-24. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
Дата:
1999
Переглядів:
640
Завантажень:
432
Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин
Анотація:
Метод и оборудование для его реализации позволяют проводить контроль полупроводниковой пластины и отдельных ее участков.
The method and equipment for its realization allow to carry out control of semiconductor wafer and individual its sites.
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
06-Dobrovolsky.pdf
Розмір:
118.3Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 5-6
[21]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація