Діелектричний теплопровідний контакт для теплообмінника фотоенергетичної установки

Abstract

У роботі запропоновано теплопровідний діелектричний контакт для сонячних елементів фотоенергетичної установки на основі плівкової структури Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Визначено оптимальні режими отримання зазначених шарів, ключовим з яких є отримання бар’єрного бездефектного шару оксиду алюмінію. Проведено експериментальну апробацію зазначеної структури, котра підтвердила можливість використання таких шарів для створення сонячної батареї на основі елементів із структурою InGaP/InGaAs/Ge для гібридної фотоенергетичної установки з охолодженням.

В работе предложен теплопроводящий диэлектрический контакт для солнечных элементов фотоэнергетических установок на основе пленочной структуры Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu. Определены оптимальные режимы получения указанных слоев, ключевым из которых является получение барьерного бездефектного слоя оксида алюминия. Проведена экспериментальная апробация указанной структуры, которая подтвердила возможность использования таких слоев для создания солнечной батареи на основе элементов со структурой InGaP/InGaAs/Ge для гибридной фотоэнергетической установки с охлаждением.

The paper suggests conductive dielectric contact for photoenergy system solar cells based on Al₂O₃/ZnO/Cr/Cu film structures. The optimum mode of receive these layers, the key of which is to obtain defect-free aluminum oxide barrier layer, has been obtain. An experimental testing of these structures confirmed the possibility of such layers to create a solar cell based on the elements of the InGaP/InGaAs/Ge structure for hybrid photoenergy system with cooling.