Релаксация намагниченности сверхпроводящих YBCO образцов в слабых магнитных полях

Abstract

Впервые проведены исследования намагниченности и изотермической релаксации намагниченности высокотемпературных сверхпроводящих образцов различной кристаллической структуры в очень малых постоянных полях (H ≤ 0,5 Э) при температурах, близких к критическим. Показано существенное влияние границ двойникования в монокристаллах YBCO на скорость релаксации намагниченности. В рамках модели коллективного пиннинга проведена оценка эффективного потенциала пиннинга в этих условиях, которая может быть использована для характеристики степени воздействия искусственно созданных точечных дефектов на критические токи образцов MgB₂.

Вперше проведено дослідження намагніченості та ізотермічної релаксації намагніченості високотемпературних надпровідних зразків різної кристалічної структури в дуже слабких постійних магнітних полях (H ≤ 0,5 Е) при температурах, які близькі до критичних. Показано значний вплив границь двійникування у монокристалах YBCO на швидкість релаксації намагн іченості. У межах моделі колективного пінінгу проведено оцінку ефективного потенціалу пінінгу в цих умовах, яку може бути використано для характеристики ступеня впливу штучно зроблених точкових дефектів на критичні струми зразків MgB₂.

Magnetization and isothermal relaxation of magnetization of high-Tc samples of different crystal structure was researched for the first time in very weak constant fields (H ≤ 0.5 Oe) at temperatures close to the critical ones. It is shown that the twin boundaries in YBCO single crystals essentially affects the relaxation rate of magnetization. The effective pinning potential is estimated within the in these conditions framework of the model of collective pinning. The estimation can be used as a characteristic of the effect of artificially created dot defects on critical currents in MgB₂ samples.