Методом микроконтактной спектроскопии исследованы вторые производные вольт-амперных
характеристик гетероконтактов между пленкой MgB₂ и контрэлектродами чистых металлов
(Cu, Ag, Au, Be). Микроконтактные спектры изучали в нормальном (T ≥ Tc) и сверхпроводящем
(T < Tc) состоянии вдоль направления оси с. В нормальном состоянии на спектрах
наблюдается особенность в интервале энергий ~ 20–30 мВ в виде широкого пика или размытого
излома. Сделано предположение, что низкочастотные моды фононного спектра также ответственны
за высокое значение температуры сверхпроводящего перехода в MgB₂. В сверхпроводящем
состоянии спектральные особенности приобретают N-образный вид в области энергий низкочастотного
пика.
Методом мікроконтактної спектроскопії досліджено другі похідні вольт-амперних характеристик
гетероконтактів між плівкою MgB₂ та контрелектродами чистих металів (Cu, Ag, Au,
Be). Мікроконтактні спектри вивчали у нормальному (T ≥ Tc) та надпровідному (T < Tc) стані
уздовж напрямку осі с. У нормальному стані на спектрах спостерігається особливість в інтервал
і енергій ~ 20–30 мВ у вигляді широкого піка або розмитого зламу. Зроблено припущення,
що низькочастотні моди фононного спектру також відповідальні за високе значення температури
надпровідного переходу у MgB₂. У надпровідному стані спектральні особливості здобувають
N-образний вид в області енергій низькочастотного піка.
The PC spectra of heterocontacts between
thin films of MgB₂ and electrodes of pure metals
(Cu, Ag, Au, Be) have been investigated by
point contact (PC) spectroscopy. The PC spectra
were studied both in the normal (T ≥ Tc) and
superconducting (T < Tc) states along the c-axis
direction. In the normal state the point contact
spectra display a single wide peak or a smeared
kink in the energy range 20–30 meV. It is assumed
that these low-frequency modes of the
phonon spectra are responsible for high Tc in
MgB₂. The spectral features develops a N-like
appearance in the superconducting state in the
low-frequency peak energy range.
