Изучены критический ток, пиннинг и резистивное состояние монокристаллического ниобия текстурной ориентации в различных структурных состояниях, получаемых при прокатке при 20 К на 42% и последующем сполировывании поверхностных слоев. Обнаружена более низкая токонесущая способность гетерогенных структур, характерных для деформированного образца и после его утонения до ~10%, связанная с усилением термомагнитной неустойчивости в участках фрагментированной структуры в приповерхностных слоях. Для гомогенной дефектной структуры сердцевины образца с плотностью равномерно распределенных дислокаций 1,3•10¹¹ см⁻² для резистивного состояния установлена корреляция компоненты нормального тока и плотности критического тока, что соответствует представлениям о крипе потока вследствие разброса локальных значений Jс.
Вивчено критичний струм, пінінг і резистивний стан монокристалічного ніобію текстурної орієнтації в різних структурних станах, які створюються при прокатці при 20 К на 42% і наступному споліровуванні поверхневих шарів. Виявлено більш низьку токонесучу спроможність гетерогенних структур, які є характерними для деформованого зразка і після його стоншування до ~10%, що пов’язано з підсиленням термомагнітної нестійкості в місцях фрагментованої структури в приповерхневих шарах. Для гомогенної дефектної структури серцевини зразка з щільністю рівномірно розподілених дислокацій 1,3•10¹¹ см⁻² для резистивного стану встановлено кореляцію компоненти нормального струму і щільності критичного струму, що відповідає уявам про крип потоку внаслідок розкиду локальних значень Jс.
Critical current pinning and resistive state of
single crystal niobium of texture orientation are
studied for different structural states obtained
by rolling at 20 K by 42% and polishing the surface
layers. It is found that the heterogeneous
structures typical of the strained sample even after
its thinning down to ~10% display a lower
current-carrying capability due to an increase of
the thermomagnetic instability within the fragmentated
structure sections in the near-surface
layers. For a homogeneous defect structure of
the sample core with the density of equilibrium
distributed dislocations of 1,3•10¹¹ cm⁻², a correlation
between the normal current density and
the critical current density in the resistive state
is found, in agreement with the concepts of flux
creep due to the scatter of local values of Jc.
