Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, том 19
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo19.03.279
PACS 72.20.Jv, 75.60.Lr, 78.55.Cr
PACS 72.20.Jv, 75.60.Lr, 78.55.Cr
Посилання:
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments / G.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 279-284. — Бібліогр.: 29 назв. — англ.
Підтримка:
The authors thank to V.V. Milenin for his interest
and important notes.
Дата:
2016
Переглядів:
751
Завантажень:
396
Анотація:
Simulation of long-time changes in photoluminescence of n-GaAs has been performed, and the mechanism of transformation of the defect structure caused by magnetic field treatments has been represented.
