Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, том 19
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo19.01.075
PACS 72.40.+w, 73.40.-e, 73.63.Nm
PACS 72.40.+w, 73.40.-e, 73.63.Nm
Посилання:
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures / S.A. Iliash, S.V. Kondratenko, A.S. Yakovliev, Vas.P. Kunets, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 75-78. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2016
Переглядів:
748
Завантажень:
608
Анотація:
Thermally stimulated conductivity of the InGaAs-GaAs heterostructures with quantum wires was studied using different quantum energies of exciting illumination. The structures reveal long-term photoconductivity decay within the temperature range 100 to 200 K, and effect of residual conductivity after turning-off the illumination. Analyzing the data of thermally stimulated conductivity, the following energies of electron traps were found: 90, 140, and 317 meV. The role of deep traps in recombination process as well as the photoconductivity mechanism was discussed.
