Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, том 18
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo18.03.354
PACS 71.36.+c, 78.30.Hv
PACS 71.36.+c, 78.30.Hv
Посилання:
Theoretical and experimental study of Raman scattering in mixed (MoS₂)x(MoSe₂)₁₋x layered crystals / A.M. Yaremko, V.O. Yukhymchuk, Yu.A. Romanyuk, S.V. Virko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 354-361. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
Дата:
2015
Переглядів:
774
Завантажень:
412
Анотація:
Raman scattering in mixed MoS₂/MoSe₂ layer type crystals was investigated in this work. The change of intensities and positions of bands for in-plane E¹₂g and outof-plane A₁g vibrations as functions of the “concentration” inherent to corresponding type layers has been studied. Estimation of interlayer interaction was obtained from comparison of experiment and theory, and effect of this interaction on the frequency of intralayer phonon was studied.
