Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
Інший ID:
PACS: 64.75.+g , 65.50.+m , 68.60.Dv
Посилання:
The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films / V.G. Deibuk, Yu.G. Korolyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 3. — С. 247-253. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
740
Завантажень:
445
Анотація:
Structural and thermodynamic properties of IV-IV solid solutions were calculated by molecular dynamics simulation. Biaxial strains are extremely important for the miscibility behavior of alloy films. It was shown the existence of critical thickness for the GexSi₁-x, Ge₁-xSnx, Si₁-xSnx, Si₁-xCx thin solid films. The results of the classical molecular dynamic simulations are in good agreement with experimental data and other ab-initio calculations. The effect of layer thickness have great influence on the miscibility gap.
