Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
Інший ID:
PACS: 61.72.V, 61.80.-x, 79.60.-i
Посилання:
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface / M.T. Normuradov, B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A.K. Tashatov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 138-141. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
582
Завантажень:
375
Анотація:
In this work investigated is the influence of barium ion implantation and subsequent annealing on composition, electronic and crystalline structure of GaAs surface. For the first time, the influence of low energy Ba⁺ ions implantation on the structure of GaAs surface was investigated using photoelectron spectroscopy. Determined are parameters of energy bands and the crystalline lattice of the three-component system Ga₀.₆Ba₀.₄As. The width of the forbidden gap is Eg = 1 eV, the lattice constant is a = 5.73 Å.
