Показати простий запис статті

dc.contributor.author Salo, V.I.
dc.date.accessioned 2017-06-13T14:28:52Z
dc.date.available 2017-06-13T14:28:52Z
dc.date.issued 2000
dc.identifier.citation Rapidly grown KDP crystals / V.I. Salo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 200-202. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 81.10.- h, Fq, 78.20.- e, 77.84.Fa, 42.88.+ h
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121084
dc.description.abstract Results of the study of optical characteristics, real structure and laser damage threshold of KDP crystals rapidly grown in the direction of a prespecified angle of synchronism (θ = 59°) are described in the present paper. A comparative analysis of KDP characteristics for crystals grown by conventional method at a rate of 1 mm/day and by the method of oriented growth at a rate of 10 mm/day is presented. It is shown that elaborated method allows to obtain blanks of nonlinear elements already at the stage of growth. The grown crystals have the bulk laser damage threshold on the level of ~5⋅10¹⁰ cm² and high structure quality; thus it allows to apply them as multipliers of laser radiation frequency. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Rapidly grown KDP crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис