Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Trubitsyn, Yu.V.
dc.contributor.author Zverev, S.V.
dc.date.accessioned 2017-06-13T14:28:20Z
dc.date.available 2017-06-13T14:28:20Z
dc.date.issued 2000
dc.identifier.citation Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices / Yu.V. Trubitsyn, S.V. Zverev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 195-199. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 81.05.C, D, E, G, H, 72.80.C, 73.61.C
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121082
dc.description.abstract In this paper, recent results of studies focused on detector-grade silicon monocrystals production are summarized and systematized. Described are the manufacturing technology of silicon rod with a diameter up to 105 mm and dislocation-free monocrystals used for fabrication of large area detectors, p-type conductivity crystals with resistivity more than 1000 Ohm·cm being prepared by the method of neutron-transmutation doping. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис