Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

Вайнберг, В.В. ; Гуденко, Ю.Н. ; Порошин, В.Н. ; Tулупенко, В.Н. ; Cheng, H.H. ; Yang, Z.P. ; Mashanov, V. ; Wang, K.Y.

Інші назви: Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells

Тема: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках

Інший ID: PACS: 71.55.–i, 78.67.De

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120945

Посилання: Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Підтримка: Авторы выражают благодарность проф. О.Г. Сарбею за полезную дискуссию. Работа выполнена при поддержке совместного проекта УНTЦ и НАН Украины №3922, программы фундаментальных исследований НАН Украины «Наноструктурные системы, наноматериалы, нанотехнологии» (проект № 10/07-H).

Дата: 2007

Завантажень: 289

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

Анотація:

Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается.

Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу ється, а радіус локалізації носіїв збільшується.

It is shown experimentally that with shifting an acceptor impurity in quantum wells of the Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to on-edge position its ground state binding energy decreases and localization radius of charge carriers increases.

Показати повний запис статті