Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного
микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния
широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные
зависимости тока Ipm(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для
равновесного случая теории Асламазова Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена
стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной
области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения
абсолютная величина Ipm(T) растет, а температурная область стимуляции Ipm(T) расширяется в направлении более низких температур.
Експериментально досліджено та проаналізовано температурні залежності стимульованого
мікрохвильовим полем максимального струму існування вихорового резистивного стану широких і
тонких олов яних плівок Ipm(T) . Показано, що експериментально одержані температурні залежності
струму Ipm(T) добре апроксимуються формулами, аналогічними формулі для рівноважного випадку
теорії Асламазова Лемпицького, де критичну температуру Тс замінено стимульованою критичною
температурою TcP, до речі це справедливо для вciєї температурної області існування режиму широкої
плівки. Виявлено, що зі збільшенням частоти опромінення абсолютна величина Ipm(T) зростає, а температурна
область стимуляції Ipm(T) розширюється в напрямку більш низьких температур.
The temperature dependences of the microwave
field-enhanced highest current Ipm(T) at which the
resistive vortex state exists in wide and thin tin
films have been investigated experimentally and
analyzed. It is shown that the experimental temperature
dependences of the current Ipm(T). are fairly
well approximated by formulas similar to those describing
the equilibrium case in the Aslamazov–
Lempitskiy theory in which the critical temperature
Tc is replaced by the enhanced critical
temperature TcP, which is valid for the whole temperature
region of the existence of the wide film regime.
It has been found that the magnitude of
Ipm(T). increases with the irradiation frequency,
while the temperature region of Ipm(T) enhancement
extends towards lower temperatures.
