Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, том 18
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo18.01.071
PACS 78.55.Cr, 71.55.Eq
PACS 78.55.Cr, 71.55.Eq
Посилання:
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 71-73. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
Дата:
2015
Переглядів:
751
Завантажень:
538
Анотація:
The long-term transformations of photoluminescence of GaN:Si treated with pulsed weak magnetic fields have been studied. The defect structure transformations have been inferred from the radiative recombination spectra within the range 350…650 nm at 300 K. A possible mechanism of observed modifications related with the magnetic field induced destruction of metastable complexes has been discussed.
