Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆

Abstract

The temperature-frequency studies of dielectric susceptibility in Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆ and crystals at low temperatures are reported. The freezing relaxation dynamics has been observed in a temperature-frequency dependence of the dielectric properties in the crystals which are in a polydomain ferroelectric state as well as in the crystals (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4 which at low temperatures are in the incommensurate phase. The nature of the effect and its interrelation with dynamics of ferroelectric domain walls and incommensurate structure is discussed.

В роботі приводяться температурно-частотні дослідження діелектричної проникливості при низьких температурах в кристалах в Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆. Спостерігалося заморожування релаксаційної динаміки на температурно-частотних залежностях діелектричних властивостей, як в кристалах які при низьких температурах знаходяться в сегнетоелектричному полідоменному стані, так і в кристалах (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4, які при низьких температурах знаходяться в неспівмірній фазі. Обговорюється природа ефекту у взаємозв’язку з сегнетоелектричними доменами і неспівмірною структурою.