The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors

dc.contributor.author	V'yunov, O.I.
dc.contributor.author	Kovalenko, L.L.
dc.contributor.author	Belous, A.G.
dc.date.accessioned	2017-06-12T17:31:07Z
dc.date.available	2017-06-12T17:31:07Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1607-324X
dc.identifier.other	PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy
dc.identifier.other	DOI:10.5488/CMP.6.2.213
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701
dc.description.abstract	Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated.	uk_UA
dc.description.abstract	Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики конденсованих систем НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Condensed Matter Physics
dc.title	The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA