Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Bratchenko, M.I.
dc.contributor.author Dyuldya, S.V.
dc.contributor.author Bakai, A.S.
dc.date.accessioned 2017-06-08T13:03:45Z
dc.date.available 2017-06-08T13:03:45Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya, A.S. Bakai // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 35-49. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1607-324X
dc.identifier.other PACS: 61.72.Tt, 85.40.Ry, 61.85.+p, 02.70.Uu
dc.identifier.other DOI:10.5488/CMP.12.1.35
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119771
dc.description.abstract New phenomenological models are proposed to describe the effect of an ordered lattice structure of crystalline targets on the as-implanted doping profiles of low-energy heavy ions. The models account for the channeling kinetics and clarify the effect of bi-directional transitions of ions between random-like and channeled modes of motion on the target depth dependencies of dopant concentration. They also incorporate a simple model of the target radiation damaging effect on doping profiles. The presented results of model validation against the experimental and Monte Carlo computer simulation data and the comparative analysis of the capabilities of the proposed and the existing models show that the application of a more physically grounded approach allows us to improve the quality of doping profile description. The theoretical models developed are useful for obtaining physical parameters of low-energy ion channeling kinetics from the experimental data. uk_UA
dc.description.abstract Запропоновано новi феноменологiчнi моделi опису впливу впорядкованої структури кристалiчної ґратки мiшеней на профiлi iмплантацiї низькоенергетичних важких iонiв. Моделi враховують кiнетику каналювання та проясняють вплив двобiчних переходiв iонiв мiж хаотичним та канальованим режимами руху на залежностi концентрацiї домiшки вiд глибини занурення у мiшень. Вони також мiстять в собi просту модель впливу радiацiйного пошкодження мiшенi на профiлi занурення. Представленi результати верифiкацiї моделей на експериментальних даних та даних комп’ютерного моделювання методом Монте-Карло поруч iз порiвняльним аналiзом можливостей запропонованих та iснуючих моделей показали, що застосування бiльш фiзично обґрунтованого пiдходу дозволяє покращити опис профiлiв iмплантацiї. Використовуючи запропонованi теоретичнi моделi, можна одержати з аналiзу експериментальних даних фiзичнi параметри кiнетики каналювання iонiв низьких енергiй. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Condensed Matter Physics
dc.title Enhanced phenomenological models of ion channeling contribution to doping profiles in crystals uk_UA
dc.title.alternative Удосконаленi феноменологiчнi моделi внеску каналювання iонiв до профiлiв iмплантацiї у кристали uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис