Исследована проводимость в базисной ab-плоскости оптимально допированных монокристаллов
YBa₂Cu₃O₇–δ до и после длительной выдержки в воздухе. Показано, что длительная выдержка приводит
к возрастанию числа эффективных центров рассеяния нормальных носителей заряда. Избыточная проводимость исследованных образцов в широком интервале температур является экспоненциальной функцией
температуры, а вблизи критической температуры Тc удовлетворительно описывается моделью Асламазова–Ларкина. При этом длительная выдержка способствует значительному расширению температурного
интервала реализации псевдощелевого состояния и существенному сужению температурного интервала
линейной зависимости ρab(T).
Досліджено провідність у базисній ab-площині оптимально допованих монокристалів YBa₂Cu₃O₇–δ до
та після тривалої витримки у повітрі. Показано, що тривала витримка призводить до зростання числа
ефективних центрів розсіяння нормальних носіїв заряду. Надмірна провідність досліджених зразків в
широкому інтервалі температур є експоненціальною функцією температури, а поблизу критичної температури Тc задовільно описується моделлю Асламазова–Ларкіна. При цьому тривала витримка сприяє
значному розширенню температурного інтервалу реалізації псевдощілинного стану та істотному звуженню температурного інтервалу лінійної залежності ρab(T).
The conducting properties in the basal ab-plane of
the optimally oxygen doped YBa₂Cu₃O₇–δ single crystals
are investigated before and after a prolonged exposure
to the air. The prolonged exposure causes the
increase of the number of the effective scattering centers
of the normal carriers. The excess conductivity of
the samples studied in a wide temperature range is an
exponential function of temperature, and near the critical
point Tc it can be satisfactorily described by the
Aslamazov–Larkin theoretical model. It is found that
the prolonged exposure results in a considerable extension
of the temperature range for pseudogap state
realization, thus narrowing the linear section of the dependence
ρab(Т).
