Исследованы резонансные спектры связанных электрон-риплонных колебаний в двумерных
электронных кристаллах над жидким гелием с поверхностной плотностью электронов ns, равной
(3,2 –10,8) ·10⁸ cм⁻², при прижимающих электрических полях E⊥=300–1150 В/cм в интервале
температур T = 0,08–0,4 К. В результате анализа спектров получены зависимости реальной
x₁ и мнимой x₂ компонент обратной проводимости σ⁻¹ кристаллов от T, ns и E⊥.
Величина x₂ находится в хорошем согласии с теоретическими оценками. Анализ зависимостей
x₁ позволяет предположить, что энергетические потери в электронном кристалле связаны с дефектами его кристаллической структуры.
Дослiджено резонанснi спектри зв’язаних електрон-риплонних коливань у двовимiрних
електронних кристалах над рiдким гелiєм з поверхневою густиною електронiв ns, рівною
(3,2 –10,8) ·10⁸ cм⁻², при притискуючих електричних полях E⊥=300–1150 В/cм в інтервалі
температур T =0,08–0,4 К. Внаслiдок аналiзу спектрiв отримано залежностi реальної σ⁻¹ та
уявної x₂ компонент зворотної провiдностi x₁ кристалiв вiд T, ns та E⊥. Величина x₂ добре
узгоджується з теоретичними оцiнками. Аналiз залежностей x₁ дозволяє припустити, що
енергетичнi втрати у електронному кристалi зв’язанi з дефектами його кристалiчної структури.
The resonance spectra of coupled electronripplon
oscillations in two-dimensional electron
crystals over liquid helium with the surface electron
density ns = (3.2–10.8) ·10⁸ cm⁻² at the holding
electric field E⊥ = 300–1150 V/cm are studied
in the temperature range T=0.08 - 0.4 K.
The analysis of the spectra displays that the real
x₁ and imaginary x₂ components of the electron
crystal inverse conductivity σ⁻¹ are dependent
on T, ns and E⊥. The imaginary component x₂ is
in good agreement with theoretical estimations.
The analysis of x₁ suggests that the enegry loss
of the electron crystal is connected with its
structural defects.