Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 4
→
Переглянути статтю

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

Konakova, R.V. ; Milenin, V.V. ; Voitsikhovskyi, D.I. ; Kamalov, A.B. ; Kolyadina, E.Yu. ; Lytvyn, P.M. ; Lytvyn, O.S. ; Matveeva, L.A. ; Prokopenko, I.V.

Інший ID: PACS 61.76.C, 73.40.K, 84.40

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119331

Посилання: Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system / R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskyi, A.B. Kamalov, E.Yu. Kolyadina, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, L.A. Matveeva, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 298-300. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Дата: 2001

Завантажень: 427

Ordering of lateral nonuniformity of TiBx film and transition layer in the TiBx-GaAs system

Анотація:

For TiBx film ~50 nm thick formed by magnetron sputtering from a pressed target onto the <100> GaAs substrate we experimentally revealed lateral nonuniformity ordering at microwave irradiation (frequency of 2.45 GHz, illuminance of 1.5 W/cm²). This correlates with improvement of the TiBx-n-n⁺-GaAs diode structure parameters after similar microwave treatment.

Показати повний запис статті