Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The impact of laser shock waves on anodic oxide - compound semiconductor interface
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The impact of laser shock waves on anodic oxide - compound semiconductor interface
Інший ID:
PACS: 62.50.+p, 68.35.Dv
Посилання:
The impact of laser shock waves on anodic oxide - compound semiconductor interface / V.S. Yakovyna, N.N. Berchenko, Yu.N. Nikiforov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 283-286. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
Дата:
2001
Переглядів:
657
Завантажень:
317
Анотація:
The present work shows that the induced positive charge value at the anodic oxide -HgCdTe (AO-MCT) interface reaches its constant value (6.0±1.0)•10¹¹ cm⁻² under laser shock wave (LSW) treatment. We demonstrate that this treatment decreases electron concentration in a converted n-type layer by one order of magnitude in annealed AO-MCT based structures, and the annealing time needed to have this layer disappeared decreases as well. The model of LSW impact on the AO-MCT interface is analysed.
Remove selected
