Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, том 4
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2001, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Groza, A.A. | |
| dc.contributor.author | Venger, E.F. | |
| dc.contributor.author | Varnina, V.I. | |
| dc.contributor.author | Holiney, R.Yu. | |
| dc.contributor.author | Litovchenko, P.G. | |
| dc.contributor.author | Matveeva, L.A. | |
| dc.contributor.author | Litovchenko, A.P. | |
| dc.contributor.author | Sugakov, V.I. | |
| dc.contributor.author | Shmatko, G.G. | |
| dc.date.accessioned | 2017-06-05T17:08:01Z | |
| dc.date.available | 2017-06-05T17:08:01Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon / A.A. Groza, E.F. Venger, V.I. Varnina, R.Yu. Holiney, P.G. Litovchenko, L.A. Matveeva, A.P. Litovchenko, M.I. Starchik, V.I. Sugakov, G.G. Shmatko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 152-155. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1560-8034 | |
| dc.identifier.other | PACS: 61.82.F | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119263 | |
| dc.description.abstract | Processes of structure defects formation, which accompanied by oxygen precipitation after a neutron irradiation (10¹⁵- 10¹⁹ n/cm²) and high-temperature treatment (800 - 1000°С) in CZ silicon, were investigated by the transmission electron microscopy. Influence of the structure defects on electrooptical properties of silicon was revealed. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics | |
| dc.title | Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
