Показати простий запис статті

dc.contributor.author Fedorov, A.G.
dc.contributor.author Zagoruiko, Yu.A.
dc.contributor.author Fedorenko, O.A.
dc.contributor.author Kovalenko, N.O.
dc.date.accessioned 2017-06-05T16:47:53Z
dc.date.available 2017-06-05T16:47:53Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.citation X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg / A.G. Fedorov, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 118-122. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 61.10.E, 61.72.D
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119255
dc.description.abstract Doping of cubic ZnSe with certain impurities like Mg or Mn during crystal growth causes the increased contents of the hexagonal phase in the crystal or even the transformation to hexagonal wurtzite modification that possess the anisothropy of properties. This opens the possibility to design not only the passive optical elements of this material but provide them with controlling or measuring functions. In the present work the structure evolution of ZnSe single crystals due to the Mg doping of different concentration was examined using the double crystal X-ray spectrometer. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис