Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Vlasenko, N.A.
dc.contributor.author Kononets, Ya.F.
dc.contributor.author Denisova, Z.L.
dc.contributor.author Kopytko, Yu.V.
dc.contributor.author Veligura, L.I.
dc.contributor.author Soininen, El.
dc.contributor.author Tornqvist, R.O.
dc.contributor.author Vasama, K.M.
dc.date.accessioned 2017-06-05T16:10:16Z
dc.date.available 2017-06-05T16:10:16Z
dc.date.issued 2001
dc.identifier.citation Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes / N.A. Vlasenko, Ya.F. Kononets, Z.L. Denisova, Yu.V. Kopytko, L.I. Veligura, El. Soininen, R.O. Tornqvist, K.M. Vasama // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 1. — С. 48-55. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf, 71.55.Gs
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119240
dc.description.abstract Electroluminescent characteristics and the photodepolarization spectra of ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices made with two different atomic-layer epitaxy processes based on chlorine and metalorganic precursors have been studied during initial stage of accelerated aging. Essential differences have been revealed. They are explained in assumption that different impurity centers exist in the ZnS:Mn films grown by using chlorine and metalorganic precursors, namely, MnCl₂, Cli⁻, Cls⁺ and isovalent oxygen traps, respectively. The mechanism of aging in both types of devices is discussed. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Aging of ZnS:Mn thin - film electroluminescent devices grown by two different atomic-layer epitaxial processes uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис