Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Asghar, M.H.
dc.contributor.author Khan, M.B.
dc.contributor.author Naseem, S.
dc.date.accessioned 2017-06-05T09:31:24Z
dc.date.available 2017-06-05T09:31:24Z
dc.date.issued 2004
dc.identifier.citation Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates / M.H. Asghar, M.B. Khan, S. Naseem // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 355-359. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 42.79Wc, 78.20e
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119214
dc.description.abstract Modular bandpass spectral filter for germanium and silicon substrates in 8 – 14 μm band applications have been proposed. The design approach, similar to antireflection coating design has been adopted to make the model simple with lesser number of layers. The full width half maximum (FWHM) value of the filter for the two substrates is varied by varying the refractive index of a single layer in the multilayer stack. The design is also analyzed for zero and 45 degree angles of incidence. The analysis has shown that the designed configuration exhibits identical behavior for these two substrates. The proposed configuration could be used for different optical and optoelectronic applications. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Designing bandpass filters in 8 – 14 μm range for Si and Ge substrates uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис