Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
Інший ID:
PACS 29.40.Wk
Посилання:
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons / P.G. Litovchenko, R. Moss, F. Stecher-Rasmussen, K. Appelman, L.I. Barabash, T.I. Kibkalo, V.F. Lastovetsky, A.P. Litovchenko, M.B. Pinkovska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 90-91. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
697
Завантажень:
359
Анотація:
Minimum energy of neutron to displace atoms in silicon crystals are equal to 200 eV. Due to this fact testing our p-i-n diodes under irradiation by the epithermal neutrons was carried out. The more advanced p-i-n diodes on the base of high purity silicon were used at present work, and, as a result, we have obtained considerably more sensitive sensors for more wide range of neutron doses. The sensitivity of sensors is 0.14 V/Gy for average neutron energy of 24 keV.
